RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
77
Autour de -60% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
48
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
1858
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-017.A00LF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link