RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
77
Autour de -250% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3116
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT12GX3M3A2000C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link