RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
77
Autour de -250% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3174
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
UMAX Technology 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link