RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
77
Autour de -114% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2725
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link