RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
77
Autour de -208% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2907
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB Comparaison des RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 99P5458-011.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link