RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
77
Autour de -93% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
40
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3180
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link