RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
77
Autour de -166% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3096
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link