RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
77
Autour de -175% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.8
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
5.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
1699
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link