RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
77
Autour de -166% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3375
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link