RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
77
Autour de -196% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
18.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3996
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB Comparaison des RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link