RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
77
Autour de -250% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2648
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link