RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
77
Autour de -208% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2740
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link