RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
77
Autour de -157% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3352
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link