RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
77
Autour de -166% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3401
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link