RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
77
Autour de -166% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3508
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link