RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
77
Autour de -166% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3434
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link