RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
77
Autour de -235% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
17.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
4100
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link