RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
77
Autour de -133% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2280
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link