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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KCDT82-MIE 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
77
Autour de -103% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2302
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
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Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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