RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
77
Autour de -120% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2963
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link