RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
77
Autour de -157% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 8 13 18 23 29 34 35 36 37 38
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2996
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Mushkin 991586 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link