RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
77
Autour de -60% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
48
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2568
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link