RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
77
Autour de -175% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2833
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link