RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
77
Autour de -250% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2633
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link