RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
16.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
77
Autour de -166% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3961
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G4M1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link