RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
77
Autour de -175% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2558
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link