RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
77
Autour de -141% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2829
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link