RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
77
Autour de -175% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
21.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
18.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3890
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link