RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
77
Autour de -148% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3935
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link