RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
36
Autour de -112% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
17
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
22.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3731
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link