RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
36
Около -112% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
17
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
22.0
Скорость записи, Гб/сек
10.3
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3731
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link