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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
36
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3273
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
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