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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
比較する
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
36
周辺 -24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
10.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
29
読み出し速度、GB/s
15.0
16.7
書き込み速度、GB/秒
10.3
12.9
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
3273
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Kingston 9905702-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
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