RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
96
Autour de 63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
11
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
4.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
96
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
4.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
1062
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link