RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3336
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link