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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
15.0
17.6
写入速度,GB/s
10.3
13.5
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3336
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
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