RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
39
Autour de 8% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
39
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2760
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link