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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
39
读取速度,GB/s
15.0
15.3
写入速度,GB/s
10.3
12.1
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2760
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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