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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
21
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
13.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
18
读取速度,GB/s
15.0
20.4
写入速度,GB/s
13.9
17.2
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
3814
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
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