RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
21
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
18
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.9
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3774
3814
Team Group Inc. UD5-6400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link