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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
36
Autour de -3% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2855
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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