RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
36
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
18
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3536
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link