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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
36
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
18
读取速度,GB/s
15.0
20.2
写入速度,GB/s
10.3
16.2
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
3536
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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