RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
36
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
32
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2641
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link