RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
36
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
32
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
12.1
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2641
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link