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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
12.0
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
14.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
3587
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
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