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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
45
Por volta de -32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
2584
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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