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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
45
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
34
Velocità di lettura, GB/s
12.0
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2584
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
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