RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
55
Autour de 35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
15
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
55
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
2293
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link