RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
55
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
15
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
55
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
18.8
Скорость записи, Гб/сек
10.3
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2293
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link